이현지(전자공학4) 학우가 SCIE등급 논문의 제1저자로 게재됐다. 이 학우는 불화고분자 도핑기술을 사용해 안정성이 갖춰진 고성능 P형 2차원 반도체에 관한 주제로 논문을 작성했다. 구현된 반도체는 전하이동속도를 20배 이상 끌어올려 최대 이동속도 112 ㎠V-¹s-¹를 기록했다. 논문은 소자 성능뿐만 아니라 전압 응력 안정성 및 공기 안정성을 높여 좋은 평가를 받았다. 이 학우는 “논문에 필요한 역량을 물리전자공학과 반도체공학을 통해 키울 수 있었다”고 밝혔다.